G30N04D3
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | Goford Semiconductor |
| Series | TrenchFETR |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1780pF @ 20 V |
| Power Dissipation (Max) | 19.8W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhms @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Mosfet (Metal Oxide) |
| FET Feature | Standard |
| Operating Temperature Range | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | 8-DFN(3.15x3.05) |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 5,000
出荷予定日:2025/08/20 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/20 当社出荷予定
MOQ:5,000
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 5,000 - 14,999 | ¥ 24.05 |
| 15,000 - 29,999 | ¥ 22.22 |
| 30,000 - | ¥ 19.98 |