G30N03D3
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | Goford Semiconductor |
| シリーズ | TrenchFETR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V、10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 30A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 825 pF @ 15 V |
| 電力散逸（最大） | 24W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 7ミリオーム @ 20A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-DFN（3.15x3.05） |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| FET機能 | 標準 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 80,000
出荷予定日:2026/04/20 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/04/20 当社出荷予定
MOQ:5,000
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 5,000 - 14,999 | ¥ 19.64 |
| 15,000 - 29,999 | ¥ 17.96 |
| 30,000 - | ¥ 16.21 |