G2K2P10S2E
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 モジュール |
| メーカー名 | Goford Semiconductor |
| シリーズ | TrenchFET® |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 3.5A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1623pF @ 50V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 200ミリオーム @ 3A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 23nC @ 10V |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 4,000
出荷予定日:2026/06/11 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/06/11 当社出荷予定
MOQ:4,000
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 4,000 - 14,999 | ¥ 38.7 |
| 15,000 - 29,999 | ¥ 35.57 |
| 30,000 - | ¥ 32.09 |