G06N06S
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
メーカー名 | Goford Semiconductor |
シリーズ | TrenchFETR |
FETタイプ | Nチャンネル |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 60V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 8A(Tc) |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1600pF @ 30 V |
電力散逸(最大) | 2.1W(Tc) |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 22ミリオーム @ 6A、10V |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.4V @ 250µA |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 46nC |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET(金属酸化物) |
FET機能 | 標準 |
使用温度範囲 | -55°C~150°C(TJ) |
取り付けタイプ | 面実装 |
デバイスパッケージ | 8-SOP |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 20,000
出荷予定日:2025/09/01 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/09/01 当社出荷予定
MOQ:4,000
SPQ:1
購入数量 | 単価(JPY) |
---|---|
4,000 - 14,999 | ¥ 24.09 |
15,000 - 29,999 | ¥ 22.22 |
30,000 - | ¥ 19.98 |