FDT86106LZ
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| シリーズ | PowerTrenchR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V、10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 3.2A(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 315 pF @ 50 V |
| 電力散逸（最大） | 2.2W（Ta） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 108ミリオーム @ 3.2A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.2V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SOT-223-4 |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 45
出荷予定日:2026/07/31 当社出荷予定
MOQ:45
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 45 - | ¥ 264.25 |