FDP020N06B-F102
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| シリーズ | PowerTrenchR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 120A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 20930pF @ 30 V |
| 電力散逸（最大） | 333W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 2ミリオーム @ 100A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 206 nC |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | スルーホール |
| デバイスパッケージ | TO-220-3 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 100
出荷予定日:2025/08/19 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/19 当社出荷予定
MOQ:100
SPQ:50
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 100 - 999 | ¥ 828.46 |
| 1,000 - 4,999 | ¥ 824 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 822.51 |
| 10,000 - 49,999 | ¥ 821.32 |
| 50,000 - 99,999 | ¥ 820.43 |
| 100,000 - | ¥ 819.56 |
