FDD850N10L
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| シリーズ | PowerTrenchR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V、10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 15.7A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1465pF @ 25 V |
| 電力散逸（最大） | 50W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 75ミリオーム @ 12A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 12.3 nC |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TO-252AA |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 19,646
出荷予定日:2025/08/26 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/26 当社出荷予定
MOQ:146
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 146 - 1,459 | ¥ 151.24 |
| 1,460 - 7,299 | ¥ 148.11 |
| 7,300 - 14,599 | ¥ 146.92 |
| 14,600 - 72,999 | ¥ 146.03 |
| 73,000 - 145,999 | ¥ 145.75 |
| 146,000 - 291,999 | ¥ 145.31 |
| 292,000 - | ¥ 145.15 |
