FDC6306P
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| シリーズ | PowerTrenchR |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 1.9A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 441pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 700mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 170ミリオーム @ 1.9A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4.2nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2Pチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SuperSOT?-6 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 3,000
出荷予定日:2025/08/21 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/21 当社出荷予定
MOQ:3,000
SPQ:3,000
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 3,000 - 29,999 | ¥ 44.3 |
| 30,000 - 149,999 | ¥ 44.15 |
| 150,000 - 299,999 | ¥ 44.08 |
| 300,000 - | ¥ 44.03 |
