EE-SX1106
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
| Ambient Temperature Range High | 85 °C |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 30 V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30 V |
| Fall Time | 10 µs |
| Forward Current | 50 mA |
| Forward Voltage | 1.3 V |
| Height | 5.6 mm |
| Input Current | 50 mA |
| Lead Free | Lead Free |
| Lifecycle Status | Production (Last Updated: 4 years ago) |
| Max Collector Current | 30 mA |
| Max Input Current | 50 mA |
| Max Operating Temperature | 85 °C |
| Max Output Current | 30 mA |
| Min Operating Temperature | -25 °C |
| Mount | PCB , Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Output Configuration | Phototransistor |
| Output Voltage | 30 V |
| Packaging | Bulk |
| Peak Wavelength | 950 nm |
| Power Dissipation | 80 mW |
| Radiation Hardening | No |
| REACH SVHC | Unknown |
| Response Time | 10 µs |
| Reverse Breakdown Voltage | 5 V |
| Reverse Voltage (DC) | 5 V |
| Rise Time | 10 µs |
| Schedule B | 8541408000, 8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000 |
| Sensing Distance | 3 mm |
| Termination | Solder |
| Wavelength | 950 nm |
| Width | 400 µm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 1
出荷予定日:2026/07/10 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 3,200.58 |
| 10 - 49 | ¥ 2,606 |
| 50 - 99 | ¥ 2,487.08 |
| 100 - 499 | ¥ 2,397.89 |
| 500 - 999 | ¥ 2,338.43 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 2,326.54 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 2,317.62 |
| 4,000 - | ¥ 2,313.16 |
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