EE-SJ3-D
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製品スペック
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 30 V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30 V |
| Fall Time | 4 µs |
| Forward Current | 50 mA |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Lead Free | Lead Free |
| Lifecycle Status | Production (Last Updated: 4 years ago) |
| Max Collector Current | 20 mA |
| Max Operating Temperature | 85 °C |
| Min Operating Temperature | -25 °C |
| Mount | PCB , Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Output Configuration | Phototransistor |
| Packaging | Bulk |
| Power Dissipation | 100 mW |
| Response Time | 4 µs |
| Reverse Breakdown Voltage | 4 V |
| Rise Time | 4 µs |
| Schedule B | 8541408000 |
| Sensing Distance | 3.4 mm |
| Termination | Solder |
| Wavelength | 940 nm |
| Width | 200 µm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 7
出荷予定日:2026/06/16 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2026/06/16 当社出荷予定
MOQ:3
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 3 - 29 | ¥ 1,089.63 |
| 30 - 149 | ¥ 970.72 |
| 150 - 299 | ¥ 881.53 |
| 300 - 1,499 | ¥ 822.07 |
| 1,500 - 2,999 | ¥ 810.18 |
| 3,000 - 5,999 | ¥ 801.26 |
| 6,000 - 11,999 | ¥ 798.28 |
| 12,000 - | ¥ 796.8 |
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