CSD87588NT
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET? |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 25 A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 736pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 6W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 9.6ミリオーム @ 15A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.9V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4.1nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 5-PTAB（5x3.5） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 250
出荷予定日:2026/09/18 当社出荷予定
MOQ:25
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 25 - 249 | ¥ 589.22 |
| 250 - 1,249 | ¥ 583.27 |
| 1,250 - 2,499 | ¥ 571.38 |
| 2,500 - 12,499 | ¥ 562.46 |
| 12,500 - 24,999 | ¥ 558 |
| 25,000 - 49,999 | ¥ 557.11 |
| 50,000 - 99,999 | ¥ 556.51 |
| 100,000 - | ¥ 555.32 |