CSD87503Q3E
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET? |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 10A(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1020pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 15.6W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 13.5ミリオーム @ 6A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.1V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 17.4nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2 |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-VSON（3.3x3.3） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 19,772
出荷予定日:2026/06/25 当社出荷予定
14:00 までのオーダーで2026/06/25 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 341.28 |
| 10 - 49 | ¥ 203.92 |
| 50 - 99 | ¥ 139.71 |
| 100 - 499 | ¥ 131.69 |
| 500 - 999 | ¥ 126.33 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 125.26 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 124.46 |
| 4,000 - | ¥ 124.06 |