2SK3666-3-TB-E
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 JFET |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ） | 180 mV @ 1 μA |
| 電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss） | 1.2 mA @ 10 V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 4pF @ 10V |
| 抵抗 - RDS（On） | 200 Ohms |
| 電力 - 最大 | 200 mW |
| 商品概要 | JFET N-CH 10MA SMCP |
| 使用温度範囲 | 150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SMCP |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 936
出荷予定日:2026/08/05 当社出荷予定
MOQ:702
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 702 - | ¥ 16.95 |
