IMB2AT110
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限(ただし、30℃ 85%RH以下)
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ・プリバイアス |
| メーカー名 | ROHM |
| トランジスタタイプ | 2 PNP - プリバイアス(デュアル) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50 V |
| 電流 - コレクタ遮断(最大) | 500 nA |
| 電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100 mA |
| Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) | 68 @ 5mA、5V |
| 周波数 - トランジション | 250MHz |
| 抵抗 - エミッタベース(R2) | 47 kOhms |
| 抵抗 - ベース(R1) | 47 kOhms |
| 電力 - 最大 | 300mW |
| Vce飽和(最大) @ lb、Ic | 300mV @ 500μA、10mA |
| 商品概要 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SMT6 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 100
出荷予定日:2026/06/04 当社出荷予定
12:00 までのオーダーで2026/06/04 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 5.93 |
| 10 - 49 | ¥ 5.77 |
| 50 - 99 | ¥ 5.66 |
| 100 - 499 | ¥ 5.55 |
| 500 - 999 | ¥ 5.53 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 5.51 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 5.5 |
| 4,000 - | ¥ 5.5 |









