R6024ENJTL
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
Power MOSFETs are made as low on-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ROHM |
| シリーズ | Generation 2nd SJMOS Low Noise |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 24A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1650 pF @ 25 V |
| 電力散逸（最大） | 40W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 24A |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 70nC |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C |
| 用途 | スタンダード |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | LPTS |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 990
出荷予定日:2026/11/17 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/11/17 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 467.11 |
| 10 - 29 | ¥ 385.55 |
| 30 - 49 | ¥ 319.38 |
| 50 - 99 | ¥ 306.15 |
| 100 - 299 | ¥ 296.22 |
| 300 - 499 | ¥ 289.6 |
| 500 - 999 | ¥ 288.28 |
| 1,000 - | ¥ 287.29 |
一連テープ品での納入
