ES6U3T2CR
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
ROHM MOSFETs are made as low RDS(on) resistance devices utilizing the micro-processing technologies and available in wide lineup including hybrid types (MOSFET + Schottky Barrier Diode) to meet various needs in the market.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V、10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 1.4A(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 70 pF @ 10 V |
| 電力散逸（最大） | 800mW（Ta） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 240ミリオーム @ 1.4A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 1.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 6-WEMT |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 200
出荷予定日:2026/11/12 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/11/12 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 8.93 |
| 10 - 49 | ¥ 8.69 |
| 50 - 99 | ¥ 8.53 |
| 100 - 499 | ¥ 8.36 |
| 500 - 999 | ¥ 8.32 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 8.31 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 8.29 |
| 4,000 - | ¥ 8.28 |
一連テープ品での納入
