QS6J11TR
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 12 V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 2 A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 770pF @ 6V |
| 電力 - 最大 | 600mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 105ミリオーム @ 2A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 6.5nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2Pチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TSMT6（SC-95） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,503
出荷予定日:2026/07/13 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 99 | ¥ 43.83 |
| 100 - 299 | ¥ 36.79 |
| 300 - 499 | ¥ 30.17 |
| 500 - 999 | ¥ 28.85 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 27.86 |
| 4,000 - 4,999 | ¥ 27.11 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 27.06 |
| 10,000 - | ¥ 26.96 |
一連テープ品での納入
