US6M11TR
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限(ただし、30℃ 85%RH以下)
カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
メーカー名 | ROHM |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 20V、12V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 1.5A、1.3A |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 110pF @ 10V |
電力 - 最大 | 1W |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 180ミリオーム @ 1.5A、4.5V |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 1V @ 1mA |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 1.8nC @ 4.5V |
技術 | MOSFET(金属酸化物) |
構成 | NおよびPチャンネル |
FET機能 | 論理レベルゲート |
使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
取り付けタイプ | 面実装 |
デバイスパッケージ | TUMT6 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 43,164
出荷予定日:2025/08/25 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2025/08/25 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
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購入数量 | 単価(JPY) |
---|---|
1 - 49 | ¥ 59.4 |
50 - 99 | ¥ 40.18 |
100 - 299 | ¥ 31.08 |
300 - 499 | ¥ 25.01 |
500 - 999 | ¥ 23.79 |
1,000 - 3,999 | ¥ 22.88 |
4,000 - 4,999 | ¥ 22.2 |
5,000 - | ¥ 22.15 |
一連テープ品での納入