EM6K34T2CR
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
Complex type MOSFETs (N+N) are made as low on-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 50V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 200mA |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 26pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 120mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 2.2オーム @ 200mA、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 800mV @ 1mA |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | ロジックレベルゲート、0.9V駆動 |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | EMT6 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 951
出荷予定日:2026/11/17 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/11/17 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 8,000
※納期未定
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 299 | ¥ 23.4 |
| 300 - 499 | ¥ 17.65 |
| 500 - 999 | ¥ 16.33 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 15.34 |
| 4,000 - 4,999 | ¥ 14.59 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 14.54 |
| 10,000 - 29,999 | ¥ 14.44 |
| 30,000 - | ¥ 14.38 |
一連テープ品での納入
