RU1J002YNTCL
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
MOSFETs are made as ultra-low on-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobile equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the market.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ROHM |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 50V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0.9V、4.5V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 200mA(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 26 pF @ 10 V |
| 電力散逸（最大） | 150mW（Ta） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 2.2オーム @ 200mA、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 800mV @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | ±8V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 用途 | スタンダード |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | UMT3F |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 11,052
出荷予定日:2026/11/13 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 499 | ¥ 8.5 |
| 500 - 999 | ¥ 7.2 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 6.21 |
| 4,000 - 4,999 | ¥ 5.46 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 5.41 |
| 10,000 - 29,999 | ¥ 5.31 |
| 30,000 - | ¥ 5.25 |
一連テープ品での納入
