2SK2009(TE85L,F)
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | TOSHIBA |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 200mA(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 70pF @ 3 V |
| 電力散逸（最大） | 200mW（Ta） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 2オーム @ 50MA、2.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 使用温度範囲 | 150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SC-59-3 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
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