QS8M51HZGTR
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 2A(TA)、1.5A(TA) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 290pF @ 25V、950pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 1.1W（Ta） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 325ミリオーム @ 2A、10V、470ミリオーム @ 1.5A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4.7nC @ 5V、17nC @ 5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 標準 |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TSMT8 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,780
出荷予定日:2025/08/25 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2025/08/25 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 19 | ¥ 124.32 |
| 20 - 49 | ¥ 91.5 |
| 50 - 99 | ¥ 64.19 |
| 100 - 299 | ¥ 55.08 |
| 300 - 499 | ¥ 49.02 |
| 500 - 999 | ¥ 47.8 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 46.89 |
| 4,000 - | ¥ 46.21 |
