SI7232DN-T1-GE3
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製品スペック
| Contact Plating | Tin |
| Continuous Drain Current (ID) | 10 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Drain to Source Resistance | 13.5 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Fall Time | 10 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 8 V |
| Height | 1.17 mm |
| Input Capacitance | 1.22 nF |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 23 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | 2 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Power Dissipation | 2.6 W |
| Radiation Hardening | No |
| Rds On Max | 16.4 mΩ |
| Rise Time | 10 ns |
| Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Width | 3.05 mm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,836
出荷予定日:2026/09/03 当社出荷予定
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SPQ:1
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 49 | ¥ 124.8 |
| 50 - 99 | ¥ 96.34 |
| 100 - 299 | ¥ 86.42 |
| 300 - 499 | ¥ 79.8 |
| 500 - 999 | ¥ 78.48 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 77.48 |
| 4,000 - 9,999 | ¥ 76.74 |
| 10,000 - | ¥ 76.59 |
一連テープ品での納入
