SI4925DDY-T1-GE3
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製品スペック
| Case/Package | SOIC |
| Continuous Drain Current (ID) | -7.3 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Drain to Source Resistance | 24 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | -30 V |
| Element Configuration | Dual |
| Fall Time | 16 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Height | 1.75 mm |
| Input Capacitance | 855 pF |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 5 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | Surface Mount |
| Nominal Vgs | -3 V |
| Number of Channels | 2 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Power Dissipation | 2.5 W |
| Radiation Hardening | No |
| Rds On Max | 27 mΩ |
| REACH SVHC | No |
| Resistance | 29 mΩ |
| Rise Time | 35 ns |
| Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Threshold Voltage | -1 V |
| Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Weight | 186.993455 mg |
| Width | 4 mm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,498
出荷予定日:2026/06/01 当社出荷予定
12:00 までのオーダーで2026/06/01 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 49 | ¥ 137.38 |
| 50 - 99 | ¥ 104.05 |
| 100 - 299 | ¥ 94.13 |
| 300 - 499 | ¥ 87.51 |
| 500 - 999 | ¥ 86.19 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 85.2 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 84.7 |
| 4,000 - | ¥ 84.45 |
