IRF8010PBF
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | INFINEON |
| シリーズ | HEXFETR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 80A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 3830pF @ 25 V |
| 電力散逸（最大） | 260W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 15ミリオーム @ 45A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 81 nC |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| FET機能 | 標準 |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | スルーホール |
| デバイスパッケージ | TO-220AB |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 1,147
出荷予定日:2025/08/06 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで当日 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 473.32 |
| 10 - 29 | ¥ 266.08 |
| 30 - 49 | ¥ 205.39 |
| 50 - 99 | ¥ 193.26 |
| 100 - 299 | ¥ 184.15 |
| 300 - 499 | ¥ 178.08 |
| 500 - 999 | ¥ 176.87 |
| 1,000 - | ¥ 175.96 |
