BSM180D12P3C007
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
BSM180D12P3C007 is a half bridge module consisting of Silicon Carbide UMOSFET and Silicon Carbide Schottky Barrier Diode.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 180A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 900pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 880W |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.6V @ 50mA |
| 技術 | シリコンカーバイド（SiC） |
| 構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） |
| 使用温度範囲 | 175°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | DINレールソケット |
| デバイスパッケージ | モジュール |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 24
出荷予定日:2026/11/17 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/11/17 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 1 | ¥ 64,587.02 |
| 2 - 2 | ¥ 64,090.73 |
| 3 - 3 | ¥ 63,925.3 |
| 4 - 5 | ¥ 63,842.59 |
| 6 - 9 | ¥ 63,759.87 |
| 10 - 27 | ¥ 63,693.7 |
| 28 - | ¥ 63,629.89 |
