BSM120D12P2C005
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
Half bridge module consisting of ROHM SiC-DMOSFETs and SiC-SBDs.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 120A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 14000pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 780W |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.7V @ 22mA |
| 技術 | シリコンカーバイド（SiC） |
| 構成 | Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） |
| 使用温度範囲 | -40°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | DINレールソケット |
| デバイスパッケージ | モジュール |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 14
出荷予定日:2026/11/12 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/11/12 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 1 | ¥ 42,515 |
| 2 - 2 | ¥ 42,018.71 |
| 3 - 3 | ¥ 41,853.28 |
| 4 - 4 | ¥ 41,770.57 |
| 5 - 6 | ¥ 41,720.94 |
| 7 - 9 | ¥ 41,664.22 |
| 10 - 17 | ¥ 41,621.68 |
| 18 - | ¥ 41,577.57 |
