FET 

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ECADモデル Manufacturer Series FET Type Technology Drain to Source Voltage (Vdss) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Power Dissipation (Max) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Operating Temperature Range Applications Automotive Mounting Type Device Package FET Feature
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 40A(Tj) 2335 pF @ 800 V 150W 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 34A (Tc) 14600 pF @ 500 V 175°C (TJ) 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
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SCT4045DEHRC11

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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 34A (Tc) 1460 pF @ 500 V 175°C (TJ) 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
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SCT4045DRC15

206
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SCT4045DRHRC15

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SCT4045DW7HRTL

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1pcs ~  ¥1289.74
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SCT4045DWAHRTL

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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 31A (Tc) 1460 pF @ 500 V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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SCT4045DWATL

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1pcs ~  ¥1227.82
5pcs ~  ¥951.05
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 31A (Tc) 1460 pF @ 500 V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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1pcs ~  ¥2026.58
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 32A(Tc) 1703 pF @ 800 V 136W 56mOhms @ 15A, 18V 4.8V @ 8mA 71 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
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120
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1pcs ~  ¥2089.24
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50pcs ~  ¥1300.36
60pcs ~  ¥1297.05

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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 32A(Tj) 1703 pF @ 800 V 136W 65mOhms @ 15A, 18V 4.8V @ 8mA 71 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Through Hole 48 nC @ 18 V
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120
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1pcs ~  ¥1589.98
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30pcs ~  ¥1007.59
50pcs ~  ¥994.36
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 32A(Tj) 1703 pF @ 800 V 136W 65mOhms @ 15A, 18V 4.8V @ 8mA 71 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 170 nC @ 18 V
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105
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1pcs ~  ¥1639.16
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2026/11/11
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 32A(Tc) 1703 pF @ 800 V 136W 65mOhms @ 15A, 18V 4.8V @ 8mA 71 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Through Hole 170 nC @ 18 V
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SCT4050KTWHRTCR

100
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1pcs ~  ¥1743.16
5pcs ~  ¥1266.91
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ROHM
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RoHS
100
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入荷予定数 : 0

1pcs ~  ¥1530.53
5pcs ~  ¥1136.59
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30pcs ~  ¥971.16
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最低発注数量 : 1
以降発注単位 : 1

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2026/11/11
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 29A(Tj) 1703 pF @ 800 V 175°C (TJ) 65mOhms @ 15A, 18V 4.8V @ 8mA 71 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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SCT4062KEC11

165
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1pcs ~  ¥1324.35
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最低発注数量 : 1
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2026/11/11
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 26A (Tc) 1498 pF @ 800 V 175°C (TJ) 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
正規品
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corestaff
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SCT4062KEHRC11

260
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 26A (Tc) 1498 pF @ 800 V 175°C (TJ) 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
正規品
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SCT4062KRC15


481
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1pcs ~  ¥1324.35
5pcs ~  ¥1010.21
10pcs ~  ¥910.96
30pcs ~  ¥844.78
50pcs ~  ¥831.55
60pcs ~  ¥828.24

最低発注数量 : 1
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 26A (Tc) 1498 pF @ 800 V 175°C (TJ) 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 170 nC @ 18 V
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SCT4062KRHRC15

340
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1pcs ~  ¥1364.06
5pcs ~  ¥1034.55
10pcs ~  ¥935.3
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50pcs ~  ¥855.89
60pcs ~  ¥852.58

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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 26A (Tc) 1498 pF @ 800 V 175°C (TJ) 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 170 nC @ 18 V
正規品
A-1(国内)
corestaff
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SCT4062KTWHRTCR

90
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1pcs ~  ¥1519.69
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10pcs ~  ¥1030.68
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50pcs ~  ¥951.28
60pcs ~  ¥947.97

最低発注数量 : 1
以降発注単位 : 1

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ROHM
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SCT4062KW7HRTL

256
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 25A(Tj) 1066 pF @ 500 V 88W 85mOhms @ 12A, 18V 4.8V @ 6.15mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Through Hole 170 nC @ 18 V
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750V Through Hole 22A (Tc) 1066 pF @ 500 V 71W 85mOhms @ 12A, 18V 4.8V @ 6.15mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650V Through Hole 22A (Tc) 1066 pF @ 500 V 71W 85mOhms @ 12A, 18V 4.8V @ 6.15mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 19A(Tj) 1026 pF @ 800 V 88W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 48 nC @ 18 V
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 19A (Tc) 1026 pF @ 800 V 88W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Through Hole 48 nC @ 18 V
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 19A(Tj) 1026 pF @ 800 V 88W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Through Hole 170 nC @ 18 V
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 19A(Tj) 1026 pF @ 800 V 88W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Through Hole 170 nC @ 18 V
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SCT4090KTWHRTCR

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1pcs ~  ¥1269.85
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ROHM
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 17A (Tj) 1026 pF @ 800 V 71W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) AEC-Q101 Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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RoHS
90
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ROHM N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200V Through Hole 17A (Tc) 1026 pF @ 800 V 71W 117mOhms @ 8.3A, 18V 4.8V @ 4.44mA 48 nC @ 18 V TO-263-7LA 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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SCZ4011KTAC23

225
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1pcs ~  ¥9560.91
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ROHM 1200V (1.2kV) 106A(Tc) 7230pF @ 800V 361W(Tc) 15mOhms @ 68A, 18V 4.8V @ 36.4mA 260nC @ 18V Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) -40°C ~ 175°C Through Hole
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SH8J31GZETB

8,164
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1pcs ~  ¥152.76
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100pcs ~  ¥103.55
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1,000pcs ~  ¥94.62

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ROHM 60V 4.5A 2500pF @ 10V 2W 70mOhms @ 4.5A, 10V 3V @ 1mA 40nC @ 10V 2 P-Channel (Dual) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP
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SH8J62TB1

7,313
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1pcs ~  ¥100.79
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300pcs ~  ¥65.09
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2026/11/11
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ROHM 30V 4.5A 800pF @ 10V 2W 56mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 5V MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP
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27
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1pcs ~  ¥139.37
50pcs ~  ¥105.28
100pcs ~  ¥95.35
300pcs ~  ¥88.73
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1,000pcs ~  ¥86.42

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ROHM 30V 7A 1200pF @ 10V 2W 29mOhms @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 18nC @ 5V MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP
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SH8J66TB1

2,500
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1pcs ~  ¥191.58
50pcs ~  ¥137.28
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ROHM 30V 9A 3000pF @ 10V 2W 18.5mOhms @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 35nC @ 5V MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP
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ROHM 60V 7.5A(TA) 2630pF @ 30V 1.4W (Ta) 32mOhms @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 50nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP
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ROHM 100V 4.5A (Ta) 2100pF @ 50V 2W (Ta) 91mOhms @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 52nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 標準 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOP

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