Resistor network arrays

メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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56k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 56k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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56k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 56k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 560k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 560k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 62 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 62 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 620 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 620 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 6.2k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 6.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 62k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 62k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 620k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 620k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 68 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 68 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 680 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 680 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 6.8k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 6.8k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 68k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 68k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 680k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 680k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 75 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 75 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 75k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 750k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083820JPTR-ND@0

絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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820 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083821GPTR-ND@0

絶縁型 820 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083821JPTR-ND@0

絶縁型 820 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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8.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083822GPTR-ND@0

絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083822JPTR-ND@0

絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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82k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083823GPTR-ND@0

絶縁型 82k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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82k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083823JPTR-ND@0

絶縁型 82k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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820k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 820k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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820k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42X083824JPTR-ND@0

絶縁型 820k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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91 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 91 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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91 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 91 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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910 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 910 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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910 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 910 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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9.1k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 9.1k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)
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9.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 9.1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.024インチ(0.60mm)