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CoreStaff Part Number		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 4600 pF @ 40 V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 4600 pF @ 40 V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 8V、10V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-TSON-8-5 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 8V、10V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 8V、10V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 80 V 8V、10V 2.5W（Ta）、125W（Tc） 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-WHSON-8-1 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5
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Infineon Technologies Nチャンネル 150 V 8V、10V 7A（Ta）、44A（Tc） 1400 pF @ 75 V 2.5W（Ta）、100W（Tc） 22ミリオーム @ 26A、10V 4.6V @ 46µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ）
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MOSFET - アレイ 150V 面実装 PG-WHTFN-9
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150V - - - - - - MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） 標準 - 面実装 PG-WHTFN-9
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MOSFET - アレイ 150V 面実装 PG-WHSON-8
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150V - - - - - - MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） 標準 - 面実装 PG-WHSON-8
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Infineon Technologies Nチャンネル 150 V 8V、10V 7A（Ta）、44A（Tc） 1400 pF @ 75 V 2.5W（Ta）、100W（Tc） 22ミリオーム @ 26A、10V 4.6V @ 46µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） PG-WHSON-8-1
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 63 nC @ 10 V ±12V -55°C～175°C 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 2V @ 432µA 57 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 63 nC @ 10 V ±12V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 2V @ 432µA 57 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 63 nC @ 10 V ±12V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、150W（Tc） 2V @ 432µA 57 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 2V @ 370µA 48 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 0.68ミリオーム @ 20A、10V 48 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 3900 pF @ 12 V 2.5W（Ta）、107W（Tc） 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 37 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IQEH84NE2LM7UCGATMA1-ND@0

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 3900 pF @ 12 V 2.5W（Ta）、107W（Tc） 37 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TTFN-9-3 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH36N04NM6ATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 40 V 6V、10V 66A（Ta）、656A（Tc） 18600 pF @ 20 V 3W（Ta）、300W（Tc） 0.36ミリオーム @ 100A、10V 2.8V @ 1.05mA 309 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-12-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH39N04NM6ATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 40 V 6V、10V 63A（Ta）、600A（Tc） 16400 pF @ 20 V 3W（Ta）、273W（Tc） 0.39ミリオーム @ 100A、10V 2.8V @ 1.05mA 273 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-12-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH47N04NM6ATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 40 V 6V、10V 58A（Ta）、507A（Tc） 13300 pF @ 20 V 3W（Ta）、250W（Tc） 0.47ミリオーム @ 100A、10V 2.8V @ 1.05mA 221 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-12-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH55N04NM6ATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル 40 V 6V、10V 53A（Ta）、451A（Tc） 11000 pF @ 20 V 3W（Ta）、214W（Tc） 0.55ミリオーム @ 100A、10V 2.8V @ 1.05mA 177 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-12-1 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH61N06NM5ATMA1
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル 60 V 6V、10V 3W（Ta）、300W（Tc） 285 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-12-1 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル 60 V 6V、10V 3W（Ta）、273W（Tc） 252 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 MOSFET（金属酸化物）

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