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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IQFH86N06NM5ATMA1
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核友型號：zp2216-IQFH86N06NM5ATMA1-ND@0

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル 60 V 6V、10V 3W（Ta）、250W（Tc） 206 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 MOSFET（金属酸化物）
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IQFH99N06NM5ATMA1
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核友型號：zp2216-IQFH99N06NM5ATMA1-ND@0

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル 60 V 6V、10V 11000 pF @ 30 V 3W（Ta）、214W（Tc） 3.3V @ 147µA 173 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 MOSFET（金属酸化物）
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IRF100B201
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Infineon Technologies -55°C～155°C（TJ）
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IRF100B202
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IRF100P218AKMA1
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IRF100PW219XKSA1
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Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル 100 V 6V、10V 33A（Ta）、203A（Tc） 16000 pF @ 50 V 3.8W（Ta）、341W（Tc） 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 278µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-3-U06 MOSFET（金属酸化物）
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IRF100S201
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Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル 55 V 10V 75A（Tc） 2840 pF @ 25 V 140W（Tc） 7.5ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB MOSFET（金属酸化物）
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