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単価 最低発注数量/以降発注単位 出荷予定日 情報
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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

FDS6692A

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Nチャンネル 30 V 9A(Ta) 1.47W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6692ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9A(Ta) 1610 pF @ 15 V 1.47W(Ta) 11.5ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

FDS6699S

RoHS

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6699SCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 21A(Ta) 3610 pF @ 15 V 2.5W(Ta) 3.6ミリオーム @ 21A、10V 3V @ 1mA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

FDS6875

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6875TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 2250pF @ 10V 900mW 30ミリオーム @ 6A、4.5V 1.5V @ 250µA 31nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6875

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6875CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 2250pF @ 10V 900mW 30ミリオーム @ 6A、4.5V 1.5V @ 250µA 31nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6890A

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6890ATR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 7.5A 2130pF @ 10V 900mW 18ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 32nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6890A

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6890ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 7.5A 2130pF @ 10V 900mW 18ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 32nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6892A

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6892ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 7.5A 1333pF @ 10V 900mW 18ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6898A

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 9.4A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6898ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 9.4A 1821pF @ 10V 900mW 14ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6898A

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 9.4A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6898ATR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 9.4A 1821pF @ 10V 900mW 14ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6898AZ

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 9.4A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6898AZTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 9.4A 1821pF @ 10V 900mW 14ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6898AZ

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 9.4A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6898AZCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 9.4A 1821pF @ 10V 900mW 14ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6900AS

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6.9A、8.2A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6900ASCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.9A、8.2A 600pF @ 15V 900mW 27ミリオーム @ 6.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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FDS6911

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6911CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 7.5A 1130pF @ 15V 900mW 13ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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FDS6912A

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6912ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A 575pF @ 15V 900mW 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 8.1nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6912A

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6912ATR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A 575pF @ 15V 900mW 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 8.1nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6930B

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6930BTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.5A 412pF @ 15V 900mW 38ミリオーム @ 5.5A、10V 3V @ 250µA 3.8nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6930B

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6930BCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.5A 412pF @ 15V 900mW 38ミリオーム @ 5.5A、10V 3V @ 250µA 3.8nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6961A

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 3.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6961ACT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 3.5A 220pF @ 15V 900mW 90ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6975

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6975CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A 1540pF @ 15V 900mW 32ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6975

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6975TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A 1540pF @ 15V 900mW 32ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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FDS6986AS

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A、7.9A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6986ASTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.5A、7.9A 720pF @ 10V 900mW 29ミリオーム @ 6.5A、10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

FDS6986AS

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A、7.9A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-FDS6986ASCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.5A、7.9A 720pF @ 10V 900mW 29ミリオーム @ 6.5A、10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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