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供應商 庫存所在位置 照片 型號 / 製造商 / 其他 庫存量 生產年份/批號 單價 最低訂貨數量 /
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預定出貨日 ECAD模型 資訊
核友管理編號
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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FQB22P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 22A(Tc) 3.75W(Ta)、125W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB22P10TMCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 22A(Tc) 1500 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、125W(Tc) 125ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB27P06TM

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 27A(Tc) 3.75W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB27P06TMCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 27A(Tc) 1400 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、120W(Tc) 70ミリオーム @ 13.5A、10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB27P06TM

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 27A(Tc) 3.75W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB27P06TMTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 27A(Tc) 1400 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、120W(Tc) 70ミリオーム @ 13.5A、10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB33N10LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 33A(Tc) 3.75W(Ta)、127W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB33N10LTMTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 5V、10V 33A(Tc) 1630 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、127W(Tc) 52ミリオーム @ 16.5A、10V 2V @ 250µA 40 nC @ 5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB34N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB34N20LTMTR-ND@0

Nチャンネル 200 V 5V、10V 31A(Tc) 3900 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 2V @ 250µA 72 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB34N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB34N20LTMCT-ND@0

Nチャンネル 200 V 5V、10V 31A(Tc) 3900 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 2V @ 250µA 72 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB34N20TM-AM002

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB34N20TM-AM002CT-ND@0

Nチャンネル 200 V 10V 31A(Tc) 3100 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB34P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 33.5A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB34P10TMCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 33.5A(Tc) 2910 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 60ミリオーム @ 16.75A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB34P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 33.5A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB34P10TMTR-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 33.5A(Tc) 2910 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 60ミリオーム @ 16.75A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB44N10TM

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 43.5A(Tc) 3.75W(Ta)、146W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB44N10TMCT-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 43.5A(Tc) 1800 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、146W(Tc) 39ミリオーム @ 21.75A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB44N10TM

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 43.5A(Tc) 3.75W(Ta)、146W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB44N10TMTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 43.5A(Tc) 1800 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、146W(Tc) 39ミリオーム @ 21.75A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB47P06TM-AM002

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 47A(Tc) 3.75W(Ta)、160W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB47P06TM-AM002TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 47A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、160W(Tc) 26ミリオーム @ 23.5A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB47P06TM-AM002

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 47A(Tc) 3.75W(Ta)、160W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB47P06TM-AM002CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 47A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、160W(Tc) 26ミリオーム @ 23.5A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB4N80TM

RoHS
   

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Nチャンネル 800 V 3.9A(Tc) 3.13W(Ta)、130W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB4N80TMCT-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 3.9A(Tc) 880 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、130W(Tc) 3.6オーム @ 1.95A、10V 5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB4N80TM

RoHS
   

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Nチャンネル 800 V 3.9A(Tc) 3.13W(Ta)、130W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB4N80TMTR-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 3.9A(Tc) 880 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、130W(Tc) 3.6オーム @ 1.95A、10V 5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB55N10TM

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Nチャンネル 100 V 55A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB55N10TMTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 55A(Tc) 2730 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 26ミリオーム @ 27.5A、10V 4V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB55N10TM

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Nチャンネル 100 V 55A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB55N10TMCT-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 55A(Tc) 2730 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 26ミリオーム @ 27.5A、10V 4V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB5N50CTM

RoHS
   

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Nチャンネル 500 V 5A(Tc) 73W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB5N50CTMCT-ND@0

Nチャンネル 500 V 10V 5A(Tc) 625 pF @ 25 V 73W(Tc) 1.4オーム @ 2.5A、10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB5N60CTM-WS

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Nチャンネル 600 V 4.5A(Tc) 100W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB5N60CTM-WSCT-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 4.5A(Tc) 670 pF @ 25 V 100W(Tc) 2.5オーム @ 2.25A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V - 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB5N90TM

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Nチャンネル 900 V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta)、158W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB5N90TMCT-ND@0

Nチャンネル 900 V 10V 5.4A(Tc) 1550 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、158W(Tc) 2.3オーム @ 2.7A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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FQB5N90TM

RoHS
   

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Nチャンネル 900 V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta)、158W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
核友型號:zp2216-FQB5N90TMTR-ND@0

Nチャンネル 900 V 10V 5.4A(Tc) 1550 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、158W(Tc) 2.3オーム @ 2.7A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -

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