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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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TJ15S06M3L(T6L1,NQ

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 15A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ15S06M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 15A(Ta) 1770 pF @ 10 V 41W(Tc) 50ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 1mA 36 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ15S06M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 60 V 15A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ15S06M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 15A(Ta) 1770 pF @ 10 V 41W(Tc) 50ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 1mA 36 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ15S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 15A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ15S06M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 15A(Ta) 1770 pF @ 10 V 41W(Tc) 50ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 1mA 36 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ15S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 15A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ15S06M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 15A(Ta) 1770 pF @ 10 V 41W(Tc) 50ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 1mA 36 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ200F04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 面実装 TO-220SM(W)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 1280 pF @ 10 V 375W(Tc) 1.8ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 460 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 TO-220SM(W) MOSFET(金属酸化物) -
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TJ200F04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 面実装 TO-220SM(W)
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Pチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 1280 pF @ 10 V 375W(Tc) 1.8ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 460 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 TO-220SM(W) MOSFET(金属酸化物) -
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 20A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ20S04M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 20A(Ta) 1850 pF @ 10 V 41W(Tc) 22.2ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 20A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ20S04M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 20A(Ta) 1850 pF @ 10 V 41W(Tc) 22.2ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ20S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 20A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ20S04M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 20A(Ta) 1850 pF @ 10 V 41W(Tc) 22.2ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ20S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 20A(Ta) 41W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ20S04M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 20A(Ta) 1850 pF @ 10 V 41W(Tc) 22.2ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 60 V 30A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 30A(Ta) 3950 pF @ 10 V 68W(Tc) 21.8ミリオーム @ 15A、10V 3V @ 1mA 80 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ30S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 30A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ30S06M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 30A(Ta) 3950 pF @ 10 V 68W(Tc) 21.8ミリオーム @ 15A、10V 3V @ 1mA 80 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ30S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 30A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ30S06M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 30A(Ta) 3950 pF @ 10 V 68W(Tc) 21.8ミリオーム @ 15A、10V 3V @ 1mA 80 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ40S04M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 40A(Ta) 4140 pF @ 10 V 68W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 1mA 83 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ40S04M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 40A(Ta) 4140 pF @ 10 V 68W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 1mA 83 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ40S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
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Pチャンネル 40 V 6V、10V 40A(Ta) 4140 pF @ 10 V 68W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 1mA 83 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 68W(Tc) 面実装 DPAK+
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Pチャンネル 40 V 6V、10V 40A(Ta) 4140 pF @ 10 V 68W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 1mA 83 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 60 V 50A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 50A(Ta) 6290 pF @ 10 V 90W(Tc) 13.8ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 1mA 124 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 60 V 50A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 50A(Ta) 6290 pF @ 10 V 90W(Tc) 13.8ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 1mA 124 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ50S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 50A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
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Pチャンネル 60 V 6V、10V 50A(Ta) 6290 pF @ 10 V 90W(Tc) 13.8ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 1mA 124 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ50S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 50A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ50S06M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 50A(Ta) 6290 pF @ 10 V 90W(Tc) 13.8ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 1mA 124 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 60A(Ta) 6510 pF @ 10 V 90W(Tc) 6.3ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 125 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 60A(Ta) 6510 pF @ 10 V 90W(Tc) 6.3ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 125 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S04M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 60A(Ta) 6510 pF @ 10 V 90W(Tc) 6.3ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 125 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 90W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S04M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 60A(Ta) 6510 pF @ 10 V 90W(Tc) 6.3ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 125 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 60 V 60A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 60A(Ta) 7760 pF @ 10 V 100W(Tc) 11.2ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 156 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 60 V 60A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 60A(Ta) 7760 pF @ 10 V 100W(Tc) 11.2ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 156 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 60A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 60A(Ta) 7760 pF @ 10 V 100W(Tc) 11.2ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 156 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ60S06M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 60 V 60A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ60S06M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 6V、10V 60A(Ta) 7760 pF @ 10 V 100W(Tc) 11.2ミリオーム @ 30A、10V 3V @ 1mA 156 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 80A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ80S04M3L(T6L1,NQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 80A(Ta) 7770 pF @ 10 V 100W(Tc) 5.2ミリオーム @ 40A、10V 3V @ 1mA 158 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Pチャンネル 40 V 80A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ80S04M3L(T6L1,NQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 80A(Ta) 7770 pF @ 10 V 100W(Tc) 5.2ミリオーム @ 40A、10V 3V @ 1mA 158 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C(TJ) 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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TJ80S04M3L,LXHQ

   

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Pチャンネル 40 V 80A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ80S04M3LLXHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 80A(Ta) 7770 pF @ 10 V 100W(Tc) 5.2ミリオーム @ 40A、10V 3V @ 1mA 158 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 40 V 80A(Ta) 100W(Tc) 面実装 DPAK+
CoreStaff Part Number:zp2216-264-TJ80S04M3LLXHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 6V、10V 80A(Ta) 7770 pF @ 10 V 100W(Tc) 5.2ミリオーム @ 40A、10V 3V @ 1mA 158 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 DPAK+ MOSFET(金属酸化物) -

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