FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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XP9575GH

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 60 V 15A(Tc) 31.3W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-5048-XP9575GHTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2660 pF @ 25 V 31.3W(Tc) 90ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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XP9575GH

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 60 V 15A(Tc) 31.3W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-5048-XP9575GHCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2660 pF @ 25 V 31.3W(Tc) 90ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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XPH2R106NC,L1XHQ

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 110A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 110A(Ta) 6900 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 2.1ミリオーム @ 55A、10V 2.5V @ 1mA 104 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH2R106NC,L1XHQ

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 110A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 110A(Ta) 6900 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 2.1ミリオーム @ 55A、10V 2.5V @ 1mA 104 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH3R114MC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 100A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH3R114MCL1XHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Ta) 9500 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 3.1ミリオーム @ 50A、10V 2.1V @ 1mA 230 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH3R114MC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 100A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Ta) 9500 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 3.1ミリオーム @ 50A、10V 2.1V @ 1mA 230 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH3R206NC,L1XHQ

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 70A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH3R206NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 70A(Ta) 4180 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 3.2ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 500µA 65 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH3R206NC,L1XHQ

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 70A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH3R206NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 70A(Ta) 4180 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 3.2ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 500µA 65 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH4R10ANB,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 100 V 70A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 6V、10V 70A(Ta) 4970 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 4.1ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH4R10ANB,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 100 V 70A(Ta) 960mW(Ta)、170W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 100 V 6V、10V 70A(Ta) 4970 pF @ 10 V 960mW(Ta)、170W(Tc) 4.1ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH4R714MC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH4R714MCL1XHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Ta) 5640 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 4.7ミリオーム @ 30A、10V 2.1V @ 1mA 160 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH4R714MC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 60A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Ta) 5640 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 4.7ミリオーム @ 30A、10V 2.1V @ 1mA 160 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH6R30ANB,L1XHQ

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in Japan

   

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Nチャンネル 100 V 45A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 6V、10V 45A(Ta) 3240 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 6.3ミリオーム @ 22.5A、10V 3.5V @ 500µA 52 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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XPH6R30ANB,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 100 V 45A(Ta) 960mW(Ta)、132W(Tc) 面実装 8-SOPアドバンス(5x5)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 100 V 6V、10V 45A(Ta) 3240 pF @ 10 V 960mW(Ta)、132W(Tc) 6.3ミリオーム @ 22.5A、10V 3.5V @ 500µA 52 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 160A(Ta) 223W(Tc) 面実装 S-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 160A(Ta) 6890 pF @ 10 V 223W(Tc) 1ミリオーム @ 80A、10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 S-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 160A(Ta) 223W(Tc) 面実装 S-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 160A(Ta) 6890 pF @ 10 V 223W(Tc) 1ミリオーム @ 80A、10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 S-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 面実装 S-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPJR6604PBLXHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 11380 pF @ 10 V 375W(Tc) 0.66ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 128 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 S-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 面実装 S-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPJR6604PBLXHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 11380 pF @ 10 V 375W(Tc) 0.66ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 128 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 S-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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XPN12006NC,L1XHQ

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in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 20A 65W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN12006NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 20A 1100 pF @ 10 V 65W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物)
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XPN12006NC,L1XHQ

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in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 20A 65W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN12006NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 20A 1100 pF @ 10 V 65W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物)
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XPN3R804NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN3R804NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Ta) 2230 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN3R804NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN3R804NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Ta) 2230 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN6R706NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 40A(Ta) 2000 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 6.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN6R706NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 40A(Ta) 2000 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 6.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN7R104NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 20A(Ta) 840mW(Ta)、65W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN7R104NCL1XHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 20A(Ta) 1290 pF @ 10 V 840mW(Ta)、65W(Tc) 7.1ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 200µA 21 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN7R104NC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 20A(Ta) 840mW(Ta)、65W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN7R104NCL1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 20A(Ta) 1290 pF @ 10 V 840mW(Ta)、65W(Tc) 7.1ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 200µA 21 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN9R614MC,L1XHQ

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in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN9R614MCL1XHQTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Ta) 3000 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 9.6ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 500µA 64 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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XPN9R614MC,L1XHQ

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 40A(Ta) 840mW(Ta)、100W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1)
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPN9R614MCL1XHQCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Ta) 3000 pF @ 10 V 840mW(Ta)、100W(Tc) 9.6ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 500µA 64 nC @ 10 V +10V、-20V 175°C 面実装 8-TSONアドバンス-WF(3.1x3.1) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 200A(Ta) 230W(Tc) 面実装 L-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 6890 pF @ 10 V 230W(Tc) 1ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 L-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 200A(Ta) 230W(Tc) 面実装 L-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 200A(Ta) 6890 pF @ 10 V 230W(Tc) 1ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 L-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 400A(Ta) 750W(Tc) 面実装 L-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPQR3004PBLXHQCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 400A(Ta) 26910 pF @ 10 V 750W(Tc) 0.3ミリオーム @ 200A、10V 3V @ 1mA 295 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 L-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 40 V 400A(Ta) 750W(Tc) 面実装 L-TOGL™
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPQR3004PBLXHQTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 6V、10V 400A(Ta) 26910 pF @ 10 V 750W(Tc) 0.3ミリオーム @ 200A、10V 3V @ 1mA 295 nC @ 10 V ±20V 175°C 面実装 L-TOGL™ MOSFET(金属酸化物) -
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XPW4R10ANB,L1XHQ

RoHS

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Nチャンネル 100 V 70A 170W(Tc) 面実装 8-DSOPアドバンス
CoreStaff Part Number:zp2216-264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 6V、10V 70A 4970 pF @ 10 V 170W(Tc) 4.1ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 8-DSOPアドバンス MOSFET(金属酸化物) 標準

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