R6086YNZ4C13
ROHM
มาตรฐานRoHS:PBF
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st76554547
Date Code:22/23+
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 86A (Tc) |
| Power Dissipation (Max) | 5100 pF @ 100 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 44mOhms @ 17A, 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6V @ 4.6mA |
| Vgs (Max) | 110 nC @ 10 V |
| Operating Temperature Range | ±30V |
| Applications | 150°C (TJ) |
| Device Package | Through Hole |
| Technology | 48 nC @ 18 V |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 569
MOQ:100
SPQ:1
