RS6G100BGTB1

ROHM

มาตรฐานRoHS:RoHS

ประเภทสต็อก:Franchised

อันดับซัพพลายเออร์:A-2

Management ID:st75188986

Date Code:2023+

RS6G100BGTB1_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100A (Tc)
Power Dissipation (Max)1510 pF @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id3.4mOhm @ 90A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5V @ 1mA
Vgs (Max)24 nC @ 10 V
Operating Temperature Range±20V
Applications150°C (TJ)
Device PackageSurface Mount
Technology8-HSOP

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 2,500

MOQ:100

SPQ:100

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
100 - 2,499 $0.329
2,500 - $0.243
--
--
--
--
--
--