QS8J4TR
ROHM
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 4 A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 800pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 550mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 56ミリオーム @ 4A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 13nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2Pチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TSMT8 |
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