RU1C002UNTCL
ROHM
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA(TA) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 150mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohms @ 200mA, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | ±8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Operating Temperature Range | 150°C(TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | UMT3F |
| Technology | Mosfet (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 8,760
MOQ:10
SPQ:10
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 10 - 49 | $0.089 |
| 50 - 99 | $0.074 |
| 100 - 499 | $0.067 |
| 500 - 999 | $0.059 |
| 1,000 - 2,999 | $0.052 |
| 3,000 - 5,999 | $0.044 |
| 6,000 - | $0.037 |
| - | - |
