RSJ650N10TL
ROHM
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4V, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65A (Ta) |
| Power Dissipation (Max) | 10780 pF @ 25 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 9.1mOhm @ 32.5A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | 260 nC @ 10 V |
| Operating Temperature Range | ±20V |
| Applications | 150°C (TJ) |
| Device Package | Surface Mount |
| Technology | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 100
MOQ:10
SPQ:10
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 10 - 49 | $4.787 |
| 50 - 99 | $4.469 |
| 100 - 499 | $4.15 |
| 500 - 999 | $3.824 |
| 1,000 - 1,999 | $3.186 |
| 2,000 - 4,999 | $2.951 |
| 5,000 - 9,999 | $2.549 |
| 10,000 - | $2.39 |
