R6007ENXC7G

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A(TA)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)46W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhms @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Operating Temperature Range150°C(TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Device PackageTO-220FM
TechnologyMosfet (Metal Oxide)

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 1,050

MOQ:50

SPQ:50

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
50 - 99 $1.732
100 - 499 $1.561
500 - 999 $1.413
1,000 - 1,999 $1.177
2,000 - 4,999 $1.088
5,000 - 9,999 $0.94
10,000 - $0.881
--