QS8M51TR

QS8M51TR_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Power - Max1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs325mOhms @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)4.7nC @ 5V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationNおよびPチャンネル
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range150°C(TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device PackageTSMT8

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 3,000

MOQ:10

SPQ:10

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
10 - 49 $1.023
50 - 99 $0.891
100 - 499 $0.784
500 - 999 $0.703
1,000 - 2,999 $0.64
3,000 - 5,999 $0.533
6,000 - 14,999 $0.496
15,000 - $0.427

สินค้าที่คล้ายกัน