QS6J11TR

QS6J11TR_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 6V
Power - Max600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)6.5nC @ 4.5V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device PackageTSMT6 (SC-95)

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 3,000

MOQ:10

SPQ:10

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
10 - 99 $0.75
100 - 499 $0.704
500 - 999 $0.651
1,000 - 2,999 $0.598
3,000 - 5,999 $0.5
6,000 - 14,999 $0.462
15,000 - $0.401
--

สินค้าที่คล้ายกัน

DMP3105LVT-7

Diodes Inc.

FDC6318P

onsemi

ZXMP6A17E6QTA

Diodes Inc.

FDC6312P

onsemi

FDC6432SH

onsemi