HT8KB5TB1

HT8KB5TB1_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A(TA), 12A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 20V
Power - Max2W(Ta), 13W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhms @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)3.5nC @ 10V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 Nチャネル
Operating Temperature Range150°C(TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device Package8-HSMT(3.2x3)

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 3,000

MOQ:10

SPQ:10

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
10 - 49 $0.666
50 - 99 $0.579
100 - 499 $0.511
500 - 999 $0.455
1,000 - 2,999 $0.411
3,000 - 5,999 $0.342
6,000 - 14,999 $0.318
15,000 - $0.274