GT150N12T

Goford Semiconductor

มาตรฐานRoHS:N/A

ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed

อันดับซัพพลายเออร์:A-4

Management ID:st74347896

Date Code:N/A

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerGoford Semiconductor
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1596 pF @ 60 V
Power Dissipation (Max)96W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhms @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Operating Temperature Range-55°C ~ 150°C(TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Device PackageTO-220
TechnologyMosfet (Metal Oxide)

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 50

MOQ:1

SPQ:1

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
1 - 4 $6.985
5 - 9 $4.569
10 - 29 $3.948
30 - 49 $3.534
50 - 59 $3.451
60 - 99 $3.43
100 - 199 $3.389
200 - $3.358