SCT3022ALGC11
ROHM
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2208 pF @ 500 V |
| Power Dissipation (Max) | 339W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhms @ 36A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Operating Temperature Range | 175°C(TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Device Package | TO-247N |
| Technology | Sicfet (Silicon Carbide) |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 17
MOQ:1
SPQ:1
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 1 - 4 | $67.145 |
| 5 - 9 | $54.876 |
| 10 - 29 | $50.106 |
| 30 - | $48.078 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
