RPI-352

RPI-352_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Fall Time10 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Height5.4 mm
Lead FreeLead Free
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 years ago)
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation80 mW
Min Operating Temperature-25 °C
MountThrough Hole
Number of Channels1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation80 mW
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
Response Time10 µs
Rise Time10 µs
Schedule B8541406050
Sensing Distance2.9972 mm
Voltage Rating (DC)1.3 V
Wavelength950 nm
Width4.2 mm

・This information is intended to provide a brief overview of the item.

・For a more comprehensive explanation of this product, please refer to the manufacturer's
    official data sheet.

มีอยู่ในสต้อค: 2,020

MOQ:50

SPQ:50

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
50 - 499 $0.568
500 - 2,499 $0.512
2,500 - 4,999 $0.475
5,000 - 24,999 $0.467
25,000 - 49,999 $0.462
50,000 - 99,999 $0.458
100,000 - 199,999 $0.457
200,000 - $0.457