GP1S094HCZ0F

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Contact PlatingCopper, Tin
Fall Time150 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Height4.8 mm
Input Current20 mA
Lead FreeLead Free
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
MountThrough Hole
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Pins4
Output ConfigurationPhototransistor
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
Output Voltage35 V
Power Dissipation100 mW
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
Response Time50 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time150 µs
Sensing Distance2.9972 mm
Wavelength950 nm
Width2.6 mm

・This information is intended to provide a brief overview of the item.

・For a more comprehensive explanation of this product, please refer to the manufacturer's
    official data sheet.

มีอยู่ในสต้อค: 92

MOQ:92

SPQ:1

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
92 - 919 $0.58
920 - 4,599 $0.575
4,600 - 9,199 $0.538
9,200 - 45,999 $0.53
46,000 - 91,999 $0.525
92,000 - 183,999 $0.52
184,000 - 367,999 $0.519
368,000 - $0.519

สินค้าที่คล้ายกัน

TCST5250

Vishay

TCST1103

Vishay

TCST1230

Vishay