RJP020N06T100
ROHM
มาตรฐานRoHS:RoHS
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st66338634
Date Code:2014+
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(TA) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhms @ 2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Operating Temperature Range | 150°C(TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | MPT3 |
| Technology | Mosfet (Metal Oxide) |
| FET Feature | Standard |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 8
MOQ:8
SPQ:8
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 8 - | $11.272 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
