GP2S700HCP

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Case/PackageSMD/SMT
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Contact PlatingGold
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Height2.3 mm
Input Current20 mA
Isolation Voltage5 kV
Lead FreeLead Free
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
MountSurface Mount
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Pins4
Output TypePhototransistor
Output Voltage35 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation100 mW
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time20 µs
Sensing Distance3 mm
Wavelength950 nm
Width4 mm

・This information is intended to provide a brief overview of the item.

・For a more comprehensive explanation of this product, please refer to the manufacturer's
    official data sheet.

มีอยู่ในสต้อค: 12

MOQ:12

SPQ:1

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
12 - $6.121
--
--
--
--
--
--
--

สินค้าที่คล้ายกัน

LTV-814S-TA1

Lite-On

LTV-817S-TA1

Lite-On

LTV-817S

Lite-On